[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

〇太田 裕之¹、右田 真司¹、黒澤 悦男¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大院工)

キーワード：強誘電体、HfO2, Hf0.5Zr0.5O2, TiN

本研究ではTiNメタル中の不純物酸素が(Hf_0.5,Zr_0.5)O₂ 強誘電体発現性に与える影響を検討した。酸素不純物を含まないTiN MFM構造ではC-V測定により明瞭な強誘電性を示したが、酸素を含むTiN(O) MFM構造(O/N = 0.5)では全く強誘電性を示さなかった。このことは、Hf_0.5,Zr_0.5O₂ の強誘電特性が、結晶化熱処理中のTiNメタルとHf_0.5,Zr_0.5O₂との間の酸素拡散の影響を受けている可能性があることを示している。