[15p-P2-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

[15p-P2-3] Source Si/C ratio dependence of HMDS-introduced CVD camphoric carbon thin films

〇Shoma Hazaka¹, Kenta Nishimura¹, Hiroyasu Ishikawa^1,2 (1.Shibaura Inst. Tech., 2.SIT RC Green Innov.)

Keywords:amorphous carbon, camphor, hexamethyldisilazane

横型管状炉2台を用いた常圧熱CVD装置により石英基板上にアモルファスカンファリックカーボン(a-CC)を作製した．Si-C結合による広バンドギャップ化を期待してHMDSを導入してa-CCを作製したところ，光学バンドギャップが増加することが分かった．今回，HMDS供給量を変化させてHMDS導入a-CCを作製し，薄膜特性に対するSiとCの供給モル比(供給Si/C mol比)依存性について報告する．