[15p-P2-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-P2-3] HMDS導入CVD樟脳カーボン薄膜の原料Si/C比依存性

〇羽坂 奨馬¹、西村 謙太¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

キーワード：アモルファスカーボン、樟脳、ヘキサメチルジシラザン

横型管状炉2台を用いた常圧熱CVD装置により石英基板上にアモルファスカンファリックカーボン(a-CC)を作製した．Si-C結合による広バンドギャップ化を期待してHMDSを導入してa-CCを作製したところ，光学バンドギャップが増加することが分かった．今回，HMDS供給量を変化させてHMDS導入a-CCを作製し，薄膜特性に対するSiとCの供給モル比(供給Si/C mol比)依存性について報告する．