[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[16a-P4-6] Si-MOSにおける化学酸化法による界面層作製手法の検討

〇杉野 優介¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院・工)

キーワード：界面層、SiO2、化学酸化