[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[16a-P4-7] REALD形成 Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシターの電気特性に及ぼす
ゲート電極金属の影響

〇山田 大地¹、王谷 洋平¹、山本 千綾²、山中 淳二²、佐藤 哲也²、岡本 浩³、福田 幸夫¹ (1.諏訪東京理科大学、2.山梨大学、3.弘前大学)

キーワード：原子層堆積法、MOSキャパシター、ゲート電極金属

ゲート絶縁膜形成後に行うPDA(Post-deposition annealing)処理やMOS キャパシター形成後に行うPMA(Post-metallization annealing)処理はGe MOS キャパシターの電気的特性改善に有効とされているが、その効果の詳細については不明な点が多い。今回、ゲート電極用金属として金属酸化物に対する還元性が強いAl と弱いPt を用いたAl2O3(3.2nm)/GeO2(1.7nm)/p-Ge MOS キャパシターを作製し、その電気的特性に及ぼすPDA 処理およびPMA 処理の効果を詳しく検討した。