[16a-P4-1~8] 13.3 絶縁膜技術

[16a-P4-8] 2段階熱処理によるAlO_x/GeO_x/Geゲートスタック構造の作製

〇部家 彰¹、吉岡 尚輝¹、松尾 直人¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：ゲート絶縁膜、Al2O3/GeO2/Geゲートスタック構造、2段階熱処理

GeはSiに比べて電子移動度が高く、薄膜トランジスタの活性層材料として期待される。本研究では石英基板上の非晶質Ge（a-Ge）膜を用いて熱処理によりAl₂O₃/GeO₂/Geゲートスタック構造を作製することを試み、熱処理時の界面での反応および電気特性について検討した。その結果、膜厚10nmのAl膜でも2段階熱処理を行うことでAlO_x/GeO_x/Geゲートスタック構造を作製できることが明らかとなった。