[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-3] 窒化ホウ素を用いたGaN-MISキャパシタの作製と電気特性評価

〇松下 淳矢¹、永松 謙太郎²、Yang Xu¹、田中 敦之²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.赤崎記念研究センター、4.名古屋大学VBL)

キーワード：GaNパワーデバイス、MISキャパシタ

パワーデバイスのノーマリーオフ動作・大電流・高周波動作化に期待できるGaN-MISトランジスタ実現のためには、ゲート絶縁膜の信頼性向上が必要不可欠である。しかしながら、GaNデバイスにおける絶縁膜は何れも堆積膜であり、絶縁性の向上や絶縁膜/GaN界面における界面準位の低減が要求されている。そこで本研究では、窒化ホウ素（Boron Nitride: BN）を絶縁膜に用いたGaN-MISキャパシタの電気特性評価を行った。