[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-6] 自立基板上のn-GaN層に形成したAl₂O₃/GaN構造の評価

〇問谷 翔太¹、橋詰 保¹ (1.北海道大)

キーワード：窒化ガリウム、GaN