[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-11] ミニマルSOI-MOSFETにおける実効キャリア移動度評価

〇柳 永シュン¹、クンプアン ソマワン¹、長尾 昌善¹、松川 貴¹、原 史朗¹ (1.産総研)

キーワード：ミニマル、実効移動度、スプリットCV

前回、我々はミニマル・メガファブハイブリッドプロセスによるPVD-TiNメタルゲートSOI-CMOS集積回路の特性について発表した。今回は、同じハイブリッドプロセスで面積の大きいSOI-MOSFETを作製し、スプリットCV法で実効キャリア移動度を評価したので報告する。