[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16p-B10-7] Through silicon via etching with high-speed gas-switching Bosch process using minimal ICP deep trench etcher

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Toshihiro Hayami³, Toshiya Miyazaki³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Through Silicon Via, minimalfab, Bosch Process

ミニマル装置を用いた高速ガス置換ボッシュプロセスでは、既にスキャロプを消失させることに成功したが、TSVプロセスへの適用については検証ができてなかった。250μm幅メタルマスクのラインパターンについては、高速ガス置換ボッシュでSi基板の貫通を確認している。この時のスキャロプの出来栄えについての観察結果を報告する。