[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-9] ウェハ裏面からレーザ照射できるミニマルレーザ加熱装置を用いたp-MOSトランジスタの特性

〇佐藤 和重¹、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：レーザ加熱、ミニマルファブ

ウェハ裏面からレーザ照射できるレーザ加熱装置によりゲート酸化膜を形成し、p-MOSトランジスタを作製、特性評価した。結果、良好なトランジスタ特性を得、本装置のデバイス・プロセスへの適用可能の見通しを得た。