[16p-C302-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [16p-C302-2] Effect by the Control of the Wet Oxidation Conditions on 4H-SiC C-face MOS Interface Properties

〇(M2)Hiroyuki Kajifusa¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:SiC, MOS, wet oxidation

ウェット酸化により形成された4H-SiC C面上MOS界面は、低欠陥でありながら閾値電圧が不安定であることが指摘されている。本研究ではドライ酸化後にウェット酸化を加えることで界面欠陥が低減されること、さらにウェット酸化条件が閾値電圧の安定性に大きく影響を与えることが判明した。酸化条件によってウェット酸化反応が異なることが原因であると示唆される。