一般セッション(口頭講演)
[19a-S224-1~10] 13.6 Semiconductor English Session
2016年3月19日(土) 09:00 〜 11:45 S224 (南2号館)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(D)TU Yuan1、 Han Bin1、 Shimizu Yasuo1、 Inoue Koji1、 Yano Maasa2、 Chiba Yuki2、 Tanii Takashi2、 Shinada Takahiro3、 Nagai Yasuyoshi1 (1.IMR Tohoku Univ.、2.Waseda Univ.、3.CIES Tohoku Univ.)
09:15 〜 09:30
▲ [19a-S224-2] Poly-Si thin film transistor on (100)-dominantly Si film using MLB-CLC with overlapping
〇(D)Nguyen Thuy Thi1、 Hirata Tatsuaki1、 Kuroki Shin-Ichiro1 (1.The rearch institute for Nanodevice and Bio system, Hiroshima University)
09:30 〜 09:45
〇Dlamini Mlandeli Ernest1、 白澤 利隆1、 鎌倉 良成1 (1.大阪大工)
09:45 〜 10:00
〇(PC)Anh Le The1、 Moraru Daniel2、 Muruganathan Manoharan1、 Tabe Michiharu2、 Mizuta Hiroshi1,3 (1.JAIST、2.Shizuoka Univ.、3.Univ. of Southampton)
10:00 〜 10:15
〇(D)Nithi Atthi1、 Ohmi Shun-ichiro1 (1.Tokyo Tech)
10:30 〜 10:45
▲ [19a-S224-6] Effect of Gate Dielectrics on Trap Density in PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors
〇(D)Nugraha Mohamad Insan1,2、 Matsui Hiroyuki1、 Hausermann Roger1、 Bisri Satria Zulkarnaen3、 Sytnyk Mykhailo4、 Heiss Wolfgang4、 Loi Maria Antonietta2、 Takeya Jun1 (1.Univ. Tokyo、2.Univ. Groningen、3.RIKEN、4.Univ. Linz)
10:45 〜 11:00
〇肥後 昭男1、 トーマス セドリック2、 李 昌勇2、 木場 隆之3、 Chen Shula4、 谷川 智之5、 窪谷 茂幸5、 片山 竜二5、 正直 花奈子5、 山下 一郎6、 村山 明宏4、 寒川 誠二1,2 (1.東北大学AIMR、2.東北大学流体研、3.北見工大、4.北大情報科学、5.東北大金研、6.奈良先端大)
11:00 〜 11:15
〇(PC)Thomas Cedric1、 Higo Akio2、 Kiba Takayuki3、 Tamura Yosuke1、 Takayama Junichi4、 Okamoto Naofumi5、 Yamashita Ichiro5、 Murayama Akihiro4、 Samukawa Seiji1,2 (1.Inst. Fluid Science, Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、3.Kitam Inst. Technology、4.Hokkaido Univ.、5.NAIST)
11:15 〜 11:30
〇SINGH TRILOK1、 Miyasaka Tsutomu1 (1.Toin Uni. of Yokohama)
11:30 〜 11:45
〇孫 鶴1、 孫 麗娜1、 杉浦 隆2、 White Matthew3,4、 Stadler Philipp4、 Sariciftci Niyazi4、 増原 陽人1、 吉田 司1 (1.山形大工、2.岐阜大学、3.バーモント大学、4.リンツ大学)