[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-13] Development of particle-number standard wafers for calibrating wafer-surface-scanners (Ⅲ)

〇naoko tajima^1,2, Kenjiro Iida^1,2, Kensei Ehara¹, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:Particle number,Wafer surface scanner,Measurement standard

日本語：我々はウェハ表面パーティクル検査装置校正用のウェハとして、ウェハ上に付着させる粒径標準ポリスチレンラテックス(PSL)粒子の個数を制御できるウェハ作成技術の開発を進めている。この粒子数基準ウェハに付着させる粒子数を、付着直前に直接測定することにより高精度で予測する手法を考えた。今回その手法で粒子数基準ウェハを作製し、その沈着粒子数の予測手法の妥当性について評価したためここに報告する。