[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-13] ウェハ表面パーティクル検査装置校正用の粒子数基準ウェハの開発(Ⅲ)

〇田島 奈穂子^1,2、飯田 健次郎^1,2、榎原 研正¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード：粒子数、ウェハ表面パーティクル検査装置、計測標準

日本語：我々はウェハ表面パーティクル検査装置校正用のウェハとして、ウェハ上に付着させる粒径標準ポリスチレンラテックス(PSL)粒子の個数を制御できるウェハ作成技術の開発を進めている。この粒子数基準ウェハに付着させる粒子数を、付着直前に直接測定することにより高精度で予測する手法を考えた。今回その手法で粒子数基準ウェハを作製し、その沈着粒子数の予測手法の妥当性について評価したためここに報告する。