[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-5] Study of uniformity on thermal oxide on a wafer formed by a minimal laser heating furnace

〇kazushige sato¹, Haruki Toonoe¹, Takashi Chiba^1,3, Masao Terada^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.Minimal Fab Development Association, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp)

Keywords:laser heating,minimal

ビーム形状の異なる2種類のレーザを重ね合わせて加熱できるミニマルレーザ加熱装置において、酸化膜厚の面内均一性を劣化させているウェハを支えるサセプターの構造について検討した。今回、サセプターのツメの本数：4→6本、形状：面→線に変え、面内均一性を改善できることを確認した。