2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)、角村 貴昭(東京エレクトロン)

10:00 〜 10:15

[19a-S423-5] ミニマルレーザ加熱熱酸化膜のウェハ面内均一性評価

佐藤 和重1、遠江 栄希1、千葉 貴史1,3、寺田 昌男1,3、池田 伸一1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード:レーザ加熱、ミニマルファブ

ビーム形状の異なる2種類のレーザを重ね合わせて加熱できるミニマルレーザ加熱装置において、酸化膜厚の面内均一性を劣化させているウェハを支えるサセプターの構造について検討した。今回、サセプターのツメの本数:4→6本、形状:面→線に変え、面内均一性を改善できることを確認した。