[19p-S223-1~10] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[19p-S223-7] Effect of residual gas upon ring-structure formation inside voids by thermal desorption of SiO₂ layer

〇Yoshiharu Enta¹, Shodai Osanai¹, Takahito Ogasawara¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide,thermal desorption,void structure

Si 基板上に形成した酸化膜(SiO₂)を無酸素雰囲気で加熱すると、ボイド状の不均一な分解脱離反応が生じることが知られている。さらにボイド内部のシリコン基板が露出した表面には、加熱冷却サイクルに対応する同心状のリング構造が形成され、このリング構造はSi 表面の凸凹であることが明らかになっている。しかしリング構造は常に形成されるわけではなく、ある発現条件が存在する。本研究では、その要因について調べた結果を報告する。