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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村友二(富士通研)、角嶋邦之(東工大)

14:15 〜 14:30

△ [19p-S423-3] 無電解めっきを用いた電気泳動によるTSV埋め込み用シード膜の成膜

〇新田航平¹、多喜川良¹、池田晃裕¹、熊澤光章²、平井俊明²、小松通郎²、浅野種正¹ (1.九大シ情、2.日揮触媒化成(株))

キーワード：Si貫通電極、電気泳動、無電解めっき

　　　