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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-H111-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月20日(日) 09:15 〜 11:45 H111 (本館)

坂井延寿(東大)

10:00 〜 10:15

[20a-H111-4] HfO₂/SiO₂/Si構造における保持電荷量の評価

〇(M1)野口和馬¹、廣森湧太郎¹、宮武真嗣¹、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大)

キーワード：エレクトレット、ハフニウム、固定電荷

　　　