[20a-H113-1~12] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-H113-9] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（11）照射誘起複合体の挙動の結晶成長法依存性

〇井上 直久^1,6、後藤 安則²、杉山 隆英³、関 洋文⁴、渡邉 香⁵、河村 裕一⁶ (1.東京農工大、2.トヨタ自動車、3.豊田中研、4.東レリサーチ、5.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ、6.大阪府大)

キーワード：シリコン単結晶、赤外吸収、照射誘起複合体

粒子線照射誘起複合体の種類や濃度は、炭素・酸素不純物濃度に依存しCZ,FZの成長法の違いに依存する。自動車用のパワーデバイスの特性はCiOiなどの照射誘起複合体により制御されるが、近年どの成長法の結晶を用いるかが課題の一つとなっている。300-400℃熱処理ではC-rich結晶ではCiOi+VO=CsO+O、VO+O=VO2が主な並行反応で競合する。C-leanやFZ結晶では優勢複合体が異なるがCiOiも形成され従属的に振る舞い温度依存性が異なる