[20a-W321-1~10] 3.7 レーザープロセシング

△ [20a-W321-6] エキシマレーザーアニーリングによるバッファ層誘起β-Ga₂O₃薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化

〇内田 啓貴¹、塩尻 大士¹、福田 大二¹、土嶺 信男²、小山 浩司³、金子 智⁴、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東京工業大学、2.(株)豊島製作所、3.(株)並木精密宝石、4.神奈川県産技セ)

キーワード：エピタキシャル、エキシマレーザー