[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-9] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた局所DLTS法の提案とSiO₂/SiC界面評価への応用

〇茅根 慎通¹、小杉 亮治²、田中 保宣³、原田 信介²、奥村 元²、長 康雄¹ (1.東北大、2.産総研、3.内閣府)

キーワード：MOS界面、走査型プローブ顕微鏡法、DLTS法

SiCのMOS界面の物性評価技術はデバイスの特性向上の為に必須である．本研究では超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法（SHO-SNDM）と呼ばれるSPMを用いた局所DLTS法を提案する．SHO-SNDMによる測定結果から容量の過渡応答を解析する手法を示し，実際に45 nmの熱酸化膜が形成されたSiCウェーハを測定した結果を示す．