The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.2 Carbon-based thin films

[20p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

Sun. Mar 20, 2016 1:15 PM - 7:00 PM H103 (H)

Masami Aono(National Defence Academy), Takako Nakamura(AIST), Atsuhito Sawabe(Aoyama Gakuin Univ.)

4:00 PM - 4:15 PM

[20p-H103-11] The film modification of Si-containing hydrogenated DLC films by the soft X-ray irradiation

〇(M1C)Shotaro Tanaka1, Takayuki Hasagawa1,2, Makoto Okada1, Shinji Matsui1, Kazuhiro Kanda1 (1.LASTI, Univ. of Hyogo, 2.SALLC)

Keywords:Si-DLC,Soft X-ray,NEXAFS

Si含有水素化DLC膜は軟X線照射によって、何も添加していない水素化DLC膜に比べて水素脱離が大きく抑えられることが報告されている。しかし、体積は減少していくことが明らかとなった。したがって、Si含有水素化DLC膜は水素の脱離によらない膜の改質が起こっていると考えられる。そこで本研究ではSi含有水素化DLC膜特有の改質過程をNEXAFSなどの結果から議論する。