[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-11] スキャントポグラフィー法を用いたSiCウェハーの定量的な結晶歪みの検出

〇米山 明男¹、横山 夏樹¹、山田 廉一¹ (1.日立製作所)

キーワード：トポグラフィー

ＳｉＣの定量的な結晶歪みの検出を目的として、試料を微小回転して取得した複数の回折像から計算により歪みを求める「スキャントポグラフィー法」を開発した。本法では入射Ｘ線の強度ムラの影響を低減でき、かつ歪みを定量的に検出することができる。SPring-8 BL16B2においてエネルギー8 keVのＸ線を用いて、エピ膜付SiC基板を観察した結果、貫通らせん転位による歪みを0.1角度秒の精度で検出できた。