[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-4] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4）
ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力 ―

〇古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.（株）SUMCO)

キーワード：エピタキシャルシリコンウェーハ、常温接合貼り合わせ、酸素拡散

CMOSイメージセンサ製造の熱処理工程において，シリコン基板からエピタキシャル層へ酸素が外方拡散して，デバイス形成領域となるエピタキシャル層内に酸素起因の欠陥を形成し，残像特性などのデバイス特性に悪影響を与えることが懸念される．このため，エピタキシャル層への酸素の外方拡散を抑制することがウェーハ製品性能に求められる．
炭素クラスターイオン注入エピタキシャルウェーハは，シリコン基板から外方拡散する酸素を注入領域で捕獲し，外方拡散抑制効果を付与できることを，これまでの研究により明 らかにした．
今回は，さらなる酸素の外方拡散抑制効果を目的に，エピタキシャル層をシリコン基板へ常温下で直接接合することにより，酸素の外方拡散を大幅に低減できることを報告する.