[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [20p-H113-6] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（6）
-多元素・分子イオン注入技術の開発検討-

〇廣瀬 諒¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹、宮本 直樹² (1.株式会社SUMCO、2.日新イオン機器株式会社)

キーワード：シリコンウェーハ、炭素クラスターイオン注入、分子イオン注入

我々はCMOSイメージセンサーの特性向上を目的として、炭素クラスターイオン注入法によるゲッタリング付与技術の検討を進めている.炭素クラスターイオン注入法は重金属に対する高いゲッタリング能力に代表される様々な特性を付与できることを報告してきた.今後更なる高性能化が要求されるCMOSイメージセンサーに対して、炭素クラスターイオン注入法の特性を向上させたシリコンウェーハを開発するために、新たな分子イオン注入技術の開発を検討してきた.今回は炭素・水素・酸素からなる分子イオンビームを形成し,シリコンウェーハへの注入に成功したので報告する.