[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-15] Electrical characteristic improvement of the InSb-HEMT structure by the optimization of SLS number of times and growth temperature

〇(M2)kato Sanshiro¹, Airi Miyashita, Sachie Fujikawa, Hiroki Fujishiro (1.Tokyo University of Science)

Keywords:InSb,SLS,HEMT

InSbはIII-V族化合物半導体の中で最も有効質量が小さいため、高い電子移動度と飽和電子速度を有する。そこで、InSbをチャネル材料に用いた高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)は高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。基板に用いている半絶縁性GaAs基板とInSbは14.6％の大きな格子定数のため、貫通転位等の欠陥が問題となる。本研究はInSb HEMT構造の電気的特性向上を目的にバッファ層にSLS導入と成長温度の最適化を行ったので報告する。