[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [20p-P9-16] InGaAs-HEMTs with two-step recessed gates by Ar plasma etching

〇TOMOTAKA HOSOTANI¹, Taiichi Otsuji¹, Tetsuya Suemitsu¹ (1.RIEC, Tohoku Univ.)

Keywords:HEMT,InP,InGaAs

InGaAsをチャネルとしたInP系HEMTをさらに高速化する手段としてのArプラズマエッチングの効果を示した。しかし、Arプラズマエッチングに よるデバイスへのダメージも確認された。検証した結果、エッチングによるダメージが顕著に効いてくる原因を特定できた。このことを念頭に置き、エッチング 条件を詰めていくことで、デバイスへのダメージを軽減したプロセスへの見通しを立てることができた。