The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[20p-S221-1~17] 13.3 Insulator technology

Sun. Mar 20, 2016 1:45 PM - 6:15 PM S221 (S2)

Takanobu Watanabe(Waseda Univ.), Hiroshi Funakubo(Titech)

4:00 PM - 4:15 PM

[20p-S221-10] Improvement of moisture resistance of La2O3 films by impurity doping

Yutaka Adachi1, Isao Sakaguchi1 (1.NIMS)

Keywords:calcium fluoride

希土類酸化物であるLa2O3は、比誘電率が約27とSiO2の約7倍の値を持ち、Siとのバンドオフセットも比較的大きいことから、SiOやSiNにかわるゲート絶縁膜としての利用が期待できるが、実用化のためにはその極めて強い吸湿性の改善が必要である。本研究において、La2O3に微量のCaF2を添加するとLa2O3の耐湿性が向上することを見出したので、それについて報告する。