2:45 PM - 3:00 PM
[20p-S621-5] Ultra-low threading dislocation density Ge film by lateral overgrowth on SiO2
Keywords:germanium,threading dislocation density
SiO2上横方向成長を用いて貫通転位密度の低いGeム薄膜をSi上に成長した。
得られたGe平坦膜はエッチピット法による評価で105 cm-2程度のピット密度を有することが確認された。
得られたGe平坦膜はエッチピット法による評価で105 cm-2程度のピット密度を有することが確認された。