[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-5] SiO₂上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

〇八子 基樹¹、和田 一実¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、貫通転位密度

SiO₂上横方向成長を用いて貫通転位密度の低いGeム薄膜をSi上に成長した。
得られたGe平坦膜はエッチピット法による評価で10⁵ cm^-2程度のピット密度を有することが確認された。