[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-8] バットジョイント横PIN型Ge受光器の高速動作特性

〇下山 峰史¹、奥村 滋一¹、小野 英輝¹、今井 雅彦¹、田中 有¹、森戸 健¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコンフォトニクス、Ge受光器、光インターコネクト

段差抑制の観点から光集積回路作製に有利なButt-Joint横PIN型Ge受光器を開発し、25Gbps受信器として良好な特性を得た。光吸収領域長40μmの試作素子について、低暗電流(-3V時20nA)、高受光感度(-3V時0.88A/W@1550nm)、広帯域性(3dB帯域22GHz)、といった諸特性が得られ、25Gbps受信波形も良好であった。