[21a-S222-1~12] 21.1 Joint Session K

△ [21a-S222-4] Fabrication and Evaluation of Crystal Structure of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Superlattice Buffer Layers

〇Riena Jinno¹, Takayuki Uchida¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Gallium Oxide,wide bandgap semiconductor

α-Ga₂O₃はsapphire(α-Al₂O₃)と同じcorundum構造を有し、ミストCVD法によりsapphire基板上に配向成長が可能であるが、sapphireとの間に4.6%の大きな格子ミスマッチが存在するため転位が多く存在する。基板と成長層の間に大きな格子ミスマッチが存在する場合の解決策として、歪み超格子をバッファ層として用いることで格子ミスマッチを緩和し薄膜の結晶性を向上させる手法がある。本研究では、α-Ga₂O₃の転位密度低減を目的にα-(Al_xGa_1-x)₂O₃超格子歪みバッファ層の作製をおこなった。