[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [21a-S222-4] 高品質α-Ga₂O₃に向けたα-(Al_xGa_1-x)₂O₃超格子バッファ層の作製と結晶構造評価

〇神野 莉衣奈¹、内田 貴之¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体

α-Ga₂O₃はsapphire(α-Al₂O₃)と同じcorundum構造を有し、ミストCVD法によりsapphire基板上に配向成長が可能であるが、sapphireとの間に4.6%の大きな格子ミスマッチが存在するため転位が多く存在する。基板と成長層の間に大きな格子ミスマッチが存在する場合の解決策として、歪み超格子をバッファ層として用いることで格子ミスマッチを緩和し薄膜の結晶性を向上させる手法がある。本研究では、α-Ga₂O₃の転位密度低減を目的にα-(Al_xGa_1-x)₂O₃超格子歪みバッファ層の作製をおこなった。