[21a-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-W541-11] Relationship between dislocation and deep-level traps in GaN Schottky diode on GaN substrate

〇Suguru Mase¹, Yuya Urayama¹, Takashi Egawa¹ (1.NIT)

Keywords:semiconductor,GaN,DLTS

Ⅴ/Ⅲ比を変えたn⁺-GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける深い準位と転位の評価を行った。
DLTS測定の結果、3つのピークが確認され、高温側のピーク3については線欠陥関連のトラップであることが分かった。
室温付近のピーク2及びピーク3のトラップ密度はⅤ/Ⅲ比の増大と共に増加する傾向が見らたが、これはCLにおけるダークスポットの密度と同じ傾向で、同じ起源が関連していることが示唆される。