[21p-H112-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[21p-H112-2] DI water treatment time dependence of surface oxide films on GaSb substrate

〇Shuichi Tomabechi¹, Shigekazu Okumura¹, Ryo Suzuki¹, Yusuke Matsukura¹, Junichi Kon¹, Hironori Nishino¹ (1.FUJITSU Lab.)

Keywords:GaSb

GaSb基板はGaAs等の他のIII-V族半導体基板と比較して、その表面酸化膜の性質が特殊であり取扱いが難しく、結晶品質の良いGaSb系エピタキシャル膜を製膜するためには表面酸化膜の除去が重要となる。GaSb表面酸化膜除去方法としてHCl処理を試み、表面酸化膜の純水水洗処理時間依存性について検討した。HCl処理は酸化膜除去に効果があるものの、純水水洗処理により酸化膜は増加することが分かった。