[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-23] ディスクリートSiC-MOSFETのオンゴーイング高温放置試験

〇荒木 祥和¹、鈴木 達広¹、山下 真理¹、大野 俊明²、薬丸 尚志³、澤田 浩紀⁴、谷本 智¹ (1.日産アーク、2.ﾉｰﾄﾞｿﾝ･ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ、3.日立ﾊﾟﾜｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、4.岩通計測)

キーワード：SiC、MOSFET、高温放置

前回[1]、電流定格>30 A、耐圧>1.2 kVのTO-247パック市販SiC-MOSFETの-40℃⇔200℃冷熱サイクル試験の結果について報告した。本報告では、200℃放置試験による劣化過程を調査し、高T_j化させたときに起こる種々の問題を顕在化させたので報告する。