2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月21日(月) 16:00 〜 18:00 P17 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[21p-P17-11] 凹凸構造を持つウェハの切削平坦化金バンプを用いた真空封止接合

平野 栄樹1、引地 広介2、田中 秀治1 (1.東北大工、2.テクノファイン)

キーワード:金属接合、平坦化、集積化

平坦でない基板の気密封止接合を行うために,めっき法で形成した接合バンプの機械的切削による平坦化プロセスを開発した。切削工程の最適化により接合面の残留する切削傷を低減するとともに,接合バンプ幅を細くすることで,バンプに印加される圧力が増大して切削傷が消失し,真空封止の歩留まりが向上する。接合バンプの面積減による接合力の低下は,デバイス中央部に配線を兼ねた電極パッドを適切に配置することで解消できる。