[21p-P17-1~26] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[21p-P17-6] Fabrication of Ge thin films on Si(001) by DC magnetron sputtering

〇(PC)Shintaro Otsuka¹, Takahiro Mori¹, Yukinori Morita¹, Noriyuki Uchida¹, Yongxun Liu¹, Shinichi O'uchi¹, Hiroshi Fuketa¹, Shinji Migita¹, Meisyoku Masahara¹, Takashi Matsukawa¹ (1.AIST)

Keywords:Ge,Hetero epitaxial growth,Tunnel FET

トンネル電界効果トランジスタ(TFET)では、小さい電源電圧でON電流を増加しつつ高いON/OFF比を得るためにトンネル確率の増大が課題である。そのためには、Ge/Siヘテロ構造の導入によりトンネル距離を低減することが有効である。そこで本稿では成長温度と成膜レートを独立に制御できる利点を有するスパッタを用いて極薄Ge/Si(001)ヘテロ構造を形成し、成長温度がGe層の膜平坦性と膜質に与える影響を議論する。