[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-5] SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発

〇(M2)矢島 佑樹¹、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学)

キーワード：Ge On Insulator