[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-6] DCマグネトロンスパッタによるSi(001)基板上へのGe薄膜の形成

〇(PC)大塚 慎太郎¹、森 貴洋¹、森田 行則¹、内田 紀行¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、昌原 明植¹、松川 貴¹ (1.産総研)

キーワード：ゲルマニウム、ヘテロエピタキシャル成長、トンネル電界効果トランジスタ

トンネル電界効果トランジスタ(TFET)では、小さい電源電圧でON電流を増加しつつ高いON/OFF比を得るためにトンネル確率の増大が課題である。そのためには、Ge/Siヘテロ構造の導入によりトンネル距離を低減することが有効である。そこで本稿では成長温度と成膜レートを独立に制御できる利点を有するスパッタを用いて極薄Ge/Si(001)ヘテロ構造を形成し、成長温度がGe層の膜平坦性と膜質に与える影響を議論する。