[22a-W541-1~10] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[22a-W541-1] Estimation of ALD-HfO₂/AlGaN interface with post-deposition annealing by X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation

〇Toshiharu Kubo¹, Gosuke Nishino¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT structure,MIS structure,Atomic layer deposition

HfO₂/AlGaN/GaN MIS構造を有するデバイスのI-V特性改善のため、HfO₂に対する成膜後アニール(PDA)に着目し、PDAの温度とALD-HfO₂/AlGaN界面付近の状態との関係を調べた。特に本研究では、一般的な光電子分光では得られない、5nm厚のHfO₂膜とAlGaN界面の化学状態を放射光を使用したXPS測定により調べ、良好なデバイス動作の鍵となる界面近傍の状態を明らかにすることを目的とした。測定の結果、PDA温度600度で界面付近の酸素のAlGaN側からHfO2側への移動が見られた。