15:30 〜 15:45 [5p-C11-7] RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ~ マルチフォノンモデルに基づく理論外挿 ~ 〇宝玉 充1、泉田 貴士1、尾上 誠司1 (1.東芝メモリ(株))