09:15 〜 09:30 △ [6a-C21-1] (100)SOI基板表層でのナノ構造SiC形成用ホットC+イオン注入法の最適化 〇小又 祐介1、青木 孝1、佐々木 智一2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東芝ナノアナリシス)