一般セッション(口頭講演)

[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月5日(火) 09:00 〜 11:30 C21 (C21)

影山健生(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[5a-C21-1] 成長時As分圧の異なる自己組織化InGaAs量子ドットの時間分解発光特性

〇浦部晶行¹、武石一紀¹、板橋皓大¹、鷲田晃宏¹、高山純一¹、樋浦諭志¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

09:15 〜 09:30

[5a-C21-2] 自己組織化InGaAs量子ドットの多層化と光励起キャリアダイナミクス

〇鷲田晃宏¹、板橋皓大¹、浦部晶行¹、武石一紀¹、高山純一¹、樋浦諭志¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

09:30 〜 09:45

[5a-C21-3] 近接積層InAs/GaAs量子ドットの成長温度による電子状態の変化

〇海津利行^1,2、喜多隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

09:45 〜 10:00

[5a-C21-4] InAs-GaAs量子ドットの空間規則性における成長速度依存性

〇小西智也¹、 Burrows Christopher²、 Bell Gavin² (1.阿南高専、2.ウォーリック大)

10:15 〜 10:30

[5a-C21-5] デジタル埋め込み構造におけるInAs量子ドットの端面PL偏光依存性

〇山本景之^1,2、赤羽浩一²、松本敦²、梅沢俊匡²、菅野敦史²、山本直克²、外林秀之¹ (1.青学大理工、2.情通機構)

10:30 〜 10:45

[5a-C21-6] GaAsSb/GaAs(001)上の高密度高密度 InAs量子ドット量子ドット層の発光特性 (2)

〇杉山涼¹、立木象¹、曽我部東馬²、山口浩一¹ (1.電通大　基盤理工、2.電通大　i-PERC)

10:45 〜 11:00

[5a-C21-7] GaAs(311)B基板上のInGaAs/AlGaAs積層量子ドット成長

〇(M2)松岡絢香¹、庄司靖²、玉置亮^1,2、岡田至崇^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

11:00 〜 11:15

[5a-C21-8] ATLAS法により作製したIn_xGa_1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析

〇間野高明¹、大竹晃浩¹、佐久間芳樹¹ (1.物材機構)

11:15 〜 11:30

△ [5a-C21-9] 光学顕微鏡マニピュレーションによるSi(111)上InGaAs単一microdiscの電流電圧特性評価

〇(D)渡邉冬馬¹、石田丈²、岩本敏²、荒川泰彦²、中野義昭¹、杉山正和³ (1.東大工、2.東大生産研、3.東大先端研)

一般セッション(口頭講演)

[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月5日(火) 13:45 〜 17:15 C21 (C21)

満原学(NTT)、赤羽浩一(NICT)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[5p-C21-1] 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響

〇(M2)宮島数喜¹、八木修平¹、庄司靖²、岡田至崇²、矢口裕之¹ (1.埼大理工、2.東大先端研)

14:00 〜 14:15

[5p-C21-2] MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBiの表面偏析

〇(M1)塚本晟¹、伊藤瑛悟¹、檜垣興一郎¹、田中佐武郎¹、石川史太郎¹、下村哲¹ (1.愛媛大学)

14:15 〜 14:30

[5p-C21-3] ２温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性

〇樋口憧生¹、佐々木大志¹、塚本晟¹、伊藤瑛悟¹、山田光起¹、パティルパラビ¹、石川史太郎¹、下村哲¹ (1.愛媛大院理工)

14:30 〜 14:45

[5p-C21-4] GaAs_1-xBi_x フォトダイオードの分光感度特性

〇岳山恭平¹、鈴木耕作¹、長谷川将¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京都工維大)

14:45 〜 15:00

△ [5p-C21-5] Si(100)ジャスト基板上GaAs 直接成長の成長前処理によるアンチフェーズドメイン形成への影響

〇中尾亮^1,2、松尾慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

15:00 〜 15:15

[5p-C21-6] 凹面GaAs基板上へのAlAs/GaAs分布ブラック反射鏡の成長

〇赤羽浩一¹、井戸哲也¹、望月和人²、山本直克¹ (1.情通機構、2.電通大)

15:30 〜 15:45

[5p-C21-7] (111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs歪量子井戸のMBE成長

〇河村裕一¹、谷口あずさ¹ (1.大阪府立大工)

15:45 〜 16:00

[5p-C21-8] MOVPE法によるGeSn層とGaAs層の一括成長の検討

〇(M1)藤原由生¹、高橋翔¹、藤澤剛²、前田幸治¹、荒井昌和¹ (1.宮崎大工、2.北大工)

16:00 〜 16:15

[5p-C21-9] MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長

〇盧翔孟¹、南康夫¹、熊谷直人²、北田貴弘¹ (1.徳島大院理工、2.産総研)

16:15 〜 16:30

[5p-C21-10] 2μm波長帯InGaAs(Sb)/InGaAs(Sb) 歪補償MQW

〇満原学¹、大礒義孝¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

16:30 〜 16:45

△ [5p-C21-11] 青色半導体レーザを照射したInSb膜の電気的特性

〇(D)Koswaththage Jayanada Charith¹、東迫達行¹、岡田竜弥¹、野口隆¹ (1.琉球大工)

16:45 〜 17:00

[5p-C21-12] GaAs(110)表面へのMn取り込みメカニズムの検討

〇平山基¹、岸上翔¹ (1.阿南高専)

17:00 〜 17:15

[5p-C21-13] Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構

〇大竹晃浩¹、後藤俊治²、中村淳² (1.物材機構、2.電通大)

一般セッション(ポスター講演)

[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月6日(水) 13:30 〜 15:30 PA7 (国際センター1F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 15:30

[6p-PA7-1] GaPN混晶のアップコンバージョン発光

〇高橋渉¹、高宮健吾¹、八木修平¹、伊藤隆²、秋山英文²、矢口裕之¹ (1.埼大院理工研、2.東大物性研)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-2] GaPN混晶中の窒素に起因する点欠陥が格子定数に及ぼす影響の理論的検討

〇立原佳樹¹、山根啓輔¹、関口寛人¹、岡田浩^2,1、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大院、2.豊橋技科大 EIIRIS)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-3] Si-GaAsN における Si ドナー活性化機構

〇(M1)塚崎貴司¹、日吉連¹、椎野直樹¹、尾高拓弥¹、黒澤拓也¹、藤田実樹²、牧本俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-4] 原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価

〇上田大貴¹、横山祐貴¹、原口智宏¹、山内俊浩¹、鈴木秀俊¹ (1.宮大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-5] 偏光ラマン測定を用いたGaAsN薄膜のアニール処理が及ぼす影響の評価

〇和田季己¹、橋本英明¹、横山祐貴¹、前田幸治¹、鈴木秀俊¹ (1.宮崎大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-6] SiドープGaAsNの光学特性のSi不純物濃度依存性

〇日吉連¹ (1.早稲田大先進理工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-7] 窒素をデルタドープしたGaAs(111)A 面上の発光中心の偏光異方性

〇王若曦¹、松山享平¹、佐久間芳樹²、池沢道男¹、舛本泰章¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-8] GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製

〇町田龍人¹、赤羽浩一²、渡邊一世²、原紳介²、藤川紗千恵¹、笠松章史²、藤代博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-9] GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御

〇伊藤峰水¹、鈴木浩基¹、渡邊優介¹、藤川紗千恵²、町田龍人¹、藤代博記¹ (1.東理大院基礎工、2.電機大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-10] LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響

〇遠藤勇輝¹、原田義彬¹、竹内淳¹、岩木拓也¹、町田龍人¹、藤代博記¹ (1.東理大基礎工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-11] 低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響

〇渡邊優介¹、椎野響太¹、伊藤峰水¹、鈴木浩基¹、藤川紗千恵²、町田龍人¹、藤代博記¹ (1.東理大院基礎工、2.電機大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-12] MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長および波長3ミクロン帯活性層構造の検討

〇山形勇也¹、吉元圭太¹、井上裕貴¹、若城玲亮¹、前田幸治¹、荒井昌和¹ (1.宮崎大工)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-13] Inドロップレット形成の位置制御(2)

〇(M2)草間貴幸¹、飯塚完司¹ (1.日本工大)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-14] InP基板上低温成長In_xGa_1-xAsの結晶性

〇富永依里子¹、廣瀬伸悟¹、角屋豊¹、森岡仁²、池永訓昭³、上田修³ (1.広大院先端研、2.ブルカーAXS、3.金沢工大)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-15] GaAs/GaAsBi歪コアーシェルナノワイヤ側壁での垂直格子定数合致型コヒーレント成長

〇(M1)矢野康介¹、高田恭兵¹、 Pallavi Patil¹、石川史太郎¹、下村哲¹、長島一樹²、柳田剛² (1.愛媛大工、2.九大先導研)

13:30 〜 15:30

[6p-PA7-16] tBGeを用いたパルスジェットエピタキシー装置によるSi(001)基板上へのGe薄膜の成長

〇秋田裕紀¹、河野将大¹、原口智宏¹、山内俊浩¹、鈴木秀俊¹ (1.宮大工)

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[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [5a-C21-9] 光学顕微鏡マニピュレーションによるSi(111)上InGaAs単一microdiscの電流電圧特性評価

[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [5p-C21-5] Si(100)ジャスト基板上GaAs 直接成長の成長前処理によるアンチフェーズドメイン形成への影響

△ [5p-C21-11] 青色半導体レーザを照射したInSb膜の電気的特性

[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

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