一般セッション(口頭講演)

[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:00 A202 (202)

島久(産総研)、西佑介(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[5p-A202-1] Ag/PEO/Pt構造に観測される量子化コンダクタンス

〇鶴岡徹¹、クリシュナンカーティック¹、ムルガナタンマノハラン²、水田博²、青野正和¹ (1.物材機構、2.北陸先端大)

13:30 〜 13:45

[5p-A202-2] 分子膜ギャップ型原子スイッチの学習機能の研究

〇(M1)鈴木彩菜¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早稲田先進理工、2.物材機構)

13:45 〜 14:00

[5p-A202-3] Cu析出Ta₂O₅分子膜ギャップ原子スイッチを用いた連続的な抵抗変化制御

〇(M1)葛西亜衣¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

14:00 〜 14:15

[5p-A202-4] Ta₂O₅を用いたギャップ型原子スイッチの開発（２）

〇田中努¹、バロブイリア²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.アーヘン工科大学)

14:15 〜 14:30

△ [5p-A202-5] Ag/WO_x/Pt平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇酒井慎弥¹、武藤恵¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

14:30 〜 14:45

[5p-A202-6] Pt/NiO/Pt積層構造におけるNiOの結晶性とフォーミング特性との相関

〇西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

14:45 〜 15:00

[5p-A202-7] 溶媒供給効果による抵抗変化メモリの動作機構解明

〇(M1)肥田聡太¹、山崎隆浩²、大野隆央²、清水敦史³、岸田悟^1,4、木下健太郎³ (1.鳥取大工、2.物材機構、3.東京理科大、4.TiFREC)

15:00 〜 15:15

△ [5p-A202-8] Pt/TiO₂/Pt抵抗変化素子のフォーミング過程における高抵抗化

〇松井亮祐¹、栗山豊¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:15 〜 15:30

△ [5p-A202-9] ルチル型TiO₂単結晶微細メモリスタ素子における抵抗変化領域のTEM微構造解析

〇山口賢吾¹、村上弘弥¹、清水拓磨¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工学研究科)

15:45 〜 16:00

△ [5p-A202-10] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊観測

〇(M2)川北純平^1,2、島久^2,3、内藤泰久^2,3、秋永広幸^2,3、谷内敏之^1,2、辛埴^1,2 (1.東大物性研、2.産総研・東大　オペランド計測　OIL、3.産総研ナノエレ)

16:00 〜 16:15

△ [5p-A202-11] 4端子TiO₂単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性

〇(M2)清水拓磨¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

16:15 〜 16:30

△ [5p-A202-12] 抵抗変化メモリ特性のHf酸化物スパッタ条件依存性

〇(M1)東篤志¹、中島諒¹、吉田勇人¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大学システム理工)

16:30 〜 16:45

[5p-A202-13] Ta₂O₅ の抵抗変化を利用した水素ガスセンサー素子

島久¹、〇内藤泰久¹、魏志強²、本間運也²、藤井覚²、角谷徹¹、秋永広幸¹ (1.産総研ナノエレ、2.パナソニックセミコンダクターソリューションズ)

16:45 〜 17:00

△ [5p-A202-14] 金属/酸化物接合における界面金属層による酸素欠陥生成効果の評価

〇中川良祐¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

17:00 〜 17:15

[5p-A202-15] Pt/Nb:SrTiO₃接合界面で生じる抵抗変化現象の機構解析

〇萩原祐仁¹、木下健太郎²、田中博美³、岸田悟^1,4 (1.鳥取大工、2.東京理科大、3.米子高専、4.TiFREC)

17:15 〜 17:30

[5p-A202-16] シリコンナノ結晶塗布薄膜によるフレキシブル抵抗変化型メモリ

〇河内剛史¹、加納伸也¹、藤井稔¹ (1.神戸大院工)

17:30 〜 17:45

[5p-A202-17] 固相エピタキシャル成長した鉄酸化物ナノドット/Siの結晶性改善とその電気特性

〇(M1)寺田吏¹、石部貴史¹、渡辺健太郎^1,2、中村芳明^1,2 (1.大阪大学、2.CREST-JST)

17:45 〜 18:00

[5p-A202-18] 高分子ワイヤーニューラルネットワークを用いた文字特徴抽出

〇疋田亘¹、浅井哲也²、桑原裕司¹、赤井恵^1,3 (1.阪大院工、2.北大院情報、3.JST さきがけ)

一般セッション(口頭講演)

[6a-A202-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月6日(水) 09:00 〜 11:45 A202 (202)

簔原誠人(高エネ研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[6a-A202-1] LSAT基板上圧縮歪みEu_1-xLa_xTiO₃薄膜の磁気輸送特性

〇高橋圭^1,2、村田智城³、 Wang Qing-Yan¹、丸橋一輝³、十倉好紀^1,3、川﨑雅司^1,3 (1.理研 CEMS、2.JST さきがけ、3.東大院工)

09:15 〜 09:30

△ [6a-A202-2] EuTiO₃の量子井戸構造による高移動度化と磁気輸送特性

〇丸橋一輝¹、高橋圭^2,3、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

09:30 〜 09:45

△ [6a-A202-3] レーザー励起光電子顕微鏡で明らかにするLaAlO₃/SrTiO₃界面における強磁性

〇元結啓仁¹、李智蓮¹、谷内敏之¹、高橋竜太¹、リップマーミック¹、辛埴¹ (1.東大物性研)

09:45 〜 10:00

△ [6a-A202-4] 粒界性格に依存したSrTiO₃中電場誘起イオンダイナミクス

〇(PC)杉山一生¹、柴田直哉^2,3、幾原雄一^2,3,4 (1.東工大物質理工、2.東大工、3.JFCC、4.東北大AIMR)

10:00 〜 10:15

△ [6a-A202-5] イオン液体／単結晶ZnO界面の電気化学特性

〇金井茉莉子¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

10:15 〜 10:30

△ [6a-A202-6] パルスレーザー堆積法による層状岩塩型LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2エピタキシャル薄膜の合成と配向制御

〇(M1)中村直人¹、西尾和記¹、清水亮太¹、杉山一生¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工)

10:45 〜 11:00

[6a-A202-7] [論文奨励賞受賞記念講演] Experimental and theoretical investigation of electronic structure of SrFeO_3−xF_x epitaxial thin films prepared via topotactic reaction

〇片山司¹ (1.東工大)

11:00 〜 11:15

△ [6a-A202-8] 原子間力顕微鏡を用いたSrFeO₃のトポタクティック局所還元反応

〇田中駿也¹、沓澤大¹、廣瀬靖¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

11:15 〜 11:30

△ [6a-A202-9] 高不純物濃度酸化物コンタクトによるナノワイヤ分子センサの高信頼化

〇高橋綱己¹、 Zeng Hao²、金井真樹¹、 Zhang Guozhu¹、 He Yong¹、長島一樹¹、柳田剛^1,2 (1.九大先導研、2.九大総理工)

11:30 〜 11:45

△ [6a-A202-10] 単結晶金属酸化物ナノワイヤにおける結晶成長雰囲気が及ぼす電子輸送特性の結晶成長界面依存性

〇安西宇宙¹、高橋綱己²、 Zhang Guozhu²、金井真樹²、 He Yong²、長島一樹²、柳田剛^1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

一般セッション(口頭講演)

[7a-A202-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 09:30 〜 11:30 A202 (202)

吉松公平(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 09:45

[7a-A202-1] 界面制御された磁気異方性を有するSrRuO₃薄膜の軌道磁気モーメント

〇菅大介¹、水牧仁一朗²、島川祐一¹ (1.京大化研、2.JASRI/SPring-8)

09:45 〜 10:00

[7a-A202-2] (Ti_0.4V_0.6)O₂/TiO₂:Nb (001)界面における電流—電圧特性

〇壽賀友貴¹、吉井文哉¹、松浦由佳¹、寺嶋健成²、脇田高徳²、横谷尚睦²、村岡祐治² (1.岡山大院自然科学、2.岡山大基礎研)

10:00 〜 10:15

[7a-A202-3] 高熱耐性・高識別能を有する酸化物ナノワイヤ分子輸送制御デバイスの創成

He Yong¹、〇長島一樹¹、吉田秀人²、高橋綱己¹、 Zhang Guozhu¹、金井真樹¹、竹田精治²、柳田剛¹ (1.九大先導研、2.阪大産研)

10:15 〜 10:30

▲ [7a-A202-4] Improvement of adhesion and rigidity of TiO₂ thin film by laser radiation

〇(DC)Dauksta Edvins^1,2、 Medvids Arturs²、 Mizeikis Vygantas¹、 Murakami Kenji¹ (1.Shizuoka Univ.、2.Riga Technical Univ.)

10:30 〜 10:45

[7a-A202-5] 表面X線回折によるペロブスカイト型酸化物薄膜の構造解析手法の開発

〇(D)穴田壮人¹、中西ー大野義典²、岡田真人³、木村剛³、若林裕助¹ (1.阪大基礎工、2.東大総合文化、3.東大新領域)

10:45 〜 11:00

[7a-A202-6] 還元された酸化タングステン（WO_3-x）薄膜の誘電関数

〇帶刀理沙¹、賈軍軍¹、重里有三¹ (1.青学大理工)

11:00 〜 11:15

▲ [7a-A202-7] Synthesis and Characterization of ZnO and Al-doped ZnO Nanostructures at Different Annealing Temperatures

Sameera Attanayake²、 Masayuki Okaya¹、〇Kenji Murakami¹ (1.GSIST, Shizuoka Univ.、2.GSST, Shizuoka Univ.)

11:15 〜 11:30

[7a-A202-8] NASICON型固体電解質LiZr₂(PO₄)₃の低温相・高温相間の構造相転移の第一原理計算による解析

〇池田稔¹、大野隆央¹、三石和貴¹、稲熊宜之²、舩山耕生²、森大輔^2,3 (1.物材機構、2.学習院大理、3.三重大工)

一般セッション(口頭講演)

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月7日(木) 13:15 〜 17:15 A202 (202)

矢嶋赳彬(東大)、菅大介(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[7p-A202-1] [講演奨励賞受賞記念講演] βパイロクロア型CsW₂O₆の金属-絶縁体転移と電子構造

〇相馬拓人¹、吉松公平¹、堀場弘司^2,3、組頭広志^2,3、大友明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)

13:30 〜 13:45

[7p-A202-2] CuO-CaCu₃Ru_4-xMn_xO₁₂複合セラミックスの電気輸送特性

〇鶴田彰宏¹、三上祐史¹、杵鞭義明¹、寺崎一郎^1,2、村山宣光¹、申ウソク¹ (1.産総研、2.名大理)

13:45 〜 14:00

[7p-A202-3] 走査型SQUID顕微鏡を用いたTb₂Ir₂O₇薄膜のall-in-all-out反強磁性ドメインの可視化

〇小塚裕介¹、藤田貴啓¹、打田正輝¹、野島勉²、塚﨑敦²、松野丈夫³、有馬孝尚^3,4、川﨑雅司^1,3 (1.東大院工、2.東北大金研、3.理研CEMS、4.東大新領域)

14:00 〜 14:15

[7p-A202-4] 磁気抵抗によるTb₂Ir₂O₇薄膜のall-in-all-out反強磁性ドメインのプローブ

藤田貴啓¹、〇小塚裕介¹、松野丈夫²、打田正輝¹、塚﨑敦³、有馬孝尚^2,4、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.東北大金研、4.東大新領域)

14:15 〜 14:30

△ [7p-A202-5] SrCoO₃薄膜における異常ホール効果

〇大内祐貴¹、松野丈夫²、小塚裕介¹、打田正輝¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)

14:30 〜 14:45

△ [7p-A202-6] ダブルペロブスカイト型La₂VFeO₆薄膜の合成と物性

〇石丸純也¹、吉松公平¹、堀場弘司^2,3、組頭広志^2,3、大友明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)

14:45 〜 15:00

[7p-A202-7] VO₂フリースタンディングナノ細線を用いた電界効果動的歪み制御による電気伝送特性変調

〇樋口敬之¹、神吉輝夫¹、 Luca pellegrino^2,3、 Nicola Manca³、 Daniele Marre^2,3、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.)

15:00 〜 15:15

[7p-A202-8] VO₂金属絶縁体転移を用いたType-Ⅱニューロン素子の設計

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大)

15:30 〜 15:45

△ [7p-A202-9] LaOエピタキシャル薄膜の超伝導

〇(DC)神永健一^1,2、岡大地²、福村知昭^2,3,4、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東北大院理、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大スピントロニクス教育センター)

15:45 〜 16:00

△ [7p-A202-10] 圧縮ストレイン下におけるSrRuO₃薄膜のホール抵抗の異常な振る舞い

〇(M1)小林顕斗¹、菅大介¹、島川祐一¹ (1.京大化研)

16:00 〜 16:15

[7p-A202-11] 導電性AFMを用いた局所圧力印加によるV₂O₃薄膜の絶縁体化

〇坂井穣¹、アリャビエワナタリア²、ヴォルフマンジェローム¹、リムレットパトリス¹、リュイテールアントワーヌ¹、舟窪浩³ (1.トゥール大GREMAN、2.パリ南大ISMO、3.東工大物質理工学院)

16:15 〜 16:30

[7p-A202-12] SrTiO₃/LaTiO_x人工超格子構造の電気二重層トランジスタ特性

〇東條尚志¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

16:30 〜 16:45

[7p-A202-13] 歪み希土類鉄ガーネット薄膜における誘電特性の膜厚依存性

〇山原弘靖¹、加藤木章浩¹、菊池亮太¹、佐藤英斗¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

16:45 〜 17:00

[7p-A202-14] VO₂/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ

〇山本真人¹、神吉輝夫¹、服部梓¹、野内亮²、谷口尚³、渡邉賢司³、上野啓司⁴、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.阪府大工、3.物材機構、4.埼玉大院理工)

17:00 〜 17:15

△ [7p-A202-15] 電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体La_2-xCe_xCuO₄における電界誘起絶縁体超伝導転移

〇(M2)松岡秀樹¹、中野匡規¹、打田正輝¹、川﨑雅司^1,2、岩佐義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

一般セッション(口頭講演)

[8a-A202-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:00 A202 (202)

丸山伸伍(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[8a-A202-1] 電気化学製膜Cu₂O薄膜への製膜後熱処理の効果

〇滝口雄貴¹、折坂葵²、宮島晋介² (1.東工大院理工、2.東工大工学院)

09:15 〜 09:30

[8a-A202-2] 電気化学製膜Cu₂OへのClドーピングの効果

〇折坂葵¹、滝口雄貴²、宮島晋介¹ (1.東工大工学院、2.東工大院理工)

09:30 〜 09:45

[8a-A202-3] Cu₂Oホモ接合太陽電池の電着法による作製と光蓄電池への応用

〇揚野哲也¹、税所健¹、前田大輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大学院理工、2.タカタ株技術本部)

09:45 〜 10:00

[8a-A202-4] ミスト CVD 法による Cu₂O 薄膜の作製と評価

〇若島涼¹、河合俊和¹、池之上卓己¹、三宅正男¹、平藤哲司¹ (1.京大院エネ科)

10:00 〜 10:15

▲ [8a-A202-5] Improvement of Power Conversion Efficiency of Dye Sensitized Solar Cells by Depositing Light Scattering Layers of TiO₂ by Electrophoresis

〇(M2)Jingwen Hu¹、 Sakika Ogura¹、 Yuuki Sato¹、 Shinzo Yoshikado¹ (1.Doshisha Univ.)

10:30 〜 10:45

[8a-A202-6] ポリマーフィルムを用いた高機能フレキシブルTiO₂光触媒薄膜の作製

〇北沢侑加¹、賈軍軍¹、中村新一¹、重里有三¹ (1.青学大)

10:45 〜 11:00

[8a-A202-7] 光触媒酸化チタンの表面バンドベンディング

〇中島伸夫¹、野地祐磨¹、大城佳祐¹ (1.広島大院理)

11:00 〜 11:15

▲ [8a-A202-8] Research on fabrication and characterization of InFeO₃ thin film for Photoelectrochemical electrode

〇(M2)BODONG ZHANG¹、 Munetoshi Seki¹、 Hiroyasu Yamahara¹、 Hitoshi Tabata¹ (1.Univ. of Tokyo)

11:15 〜 11:30

[8a-A202-9] Fe, Sc-TiO₂/TiO₂/Ti構造を用いた光触媒反応による水素生成

〇川口拓哉¹、及川純平¹、簑原誠人²、堀場弘司²、組頭広志²、樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

11:30 〜 11:45

[8a-A202-10] 電気化学堆積と硫黄アニールによるFeOOH/FeS₂ヘテロ接合の作製

〇牧采佳¹、市村正也¹ (1.名工大)

11:45 〜 12:00

[8a-A202-11] GaN-InN-ZnO 固溶体のバンドギャップ

〇穴澤俊久¹、眞鍋敏夫¹、天田英之¹、熊坂文明¹、淡路直樹¹、今中佳彦¹ (1.富士通研)

一般セッション(ポスター講演)

[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PA1 (国際センター1F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[8p-PA1-1] 導電性酸化亜鉛上へのVO₂薄膜の低温成長と転移特性評価

〇佐藤賢太¹、星野寛明¹、青戸智寛¹、モハメッドシュルズミヤ¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-2] 高周波基板バイアススパッタ法によるZnO/glass基板上VO2薄膜の転移温度の低温化

〇星野寛明¹、佐藤賢太¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-3] 相転移VO₂における金属的状態間を推移する発振現象

〇(M1)青戸智寛¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-4] Al-doped ZnO 薄膜の低温成長におけるマグネトロン磁場強度の影響

〇(M2)譲原一樹¹、佐藤賢太¹、星野寛明¹、沖村邦雄¹、安森偉郎² (1.東海大院工、2.東海大学教開研セ)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-5] Nd:YAGレーザーの第4次高調波を用いたPLD法で作製したSrTiO₃薄膜のRHEED振動の観測

〇小野寺巧¹、高嶋佑伍¹、平智幸¹、中村基訓¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-6] ノンコリニア型反強磁性絶縁体SmFeO₃のエピタキシャル薄膜における磁化のエンハンスメント

〇棚橋直也¹、黒田基規¹、羽尻哲也¹、植田研二¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-7] NiSナノ結晶の金属絶縁体転移

〇牛島幸輝¹、今村真幸²、高橋和敏²、石井啓文³、 Liao Yen-Fa³、稲垣祐次⁴、河江達也⁴、木田徹也⁵、南任真史⁶ (1.佐賀大院工、2.佐賀大SLセ、3.台湾NSRRC、4.九大院工、5.熊大院自然、6.理研)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-8] V₂O₃ナノ結晶の金属絶縁体転移におけるTiドーピング効果

〇丸山徹¹、今村真幸²、高橋和敏²、石井啓文³、 Liao Yen-Fa³、稲垣佑次⁴、河江達也⁴、木田徹也⁵、南任真史⁶、石渡洋一¹ (1.佐賀大院工、2.佐賀大 SL セ、3.台湾 NSRRC、4.九大院工、5.熊大院自然、6.理研)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-9] 抵抗変化型不揮発性メモリダイオードの低温形成技術

〇素村晃浩¹、塚本貴広¹、加藤格²、雑賀章浩²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-10] CuNiSi酸化物を用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

〇仲山広記¹、塚本貴広¹、加藤格²、雑賀章浩²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-11] Ag/Ta₂O₅/Pt素子におけるフォーミングプロセスの活性化障壁測定

〇(M1)棚橋直哉¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-12] 直列抵抗を用いたCu/Ta₂O₅/Pt素子の抵抗値分布制御

〇重岡祐貴¹、長谷川剛¹、鶴岡徹² (1.早大先進工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-13] 分子膜ギャップ型原子スイッチの動作メカニズム解明

〇(B)有馬知里¹、荒木聖人¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-14] 接合型原子スイッチのスイッチオン時間分布計測

〇平谷航¹、尾島慶太¹、三島望実¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早稲田先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-15] NiOナノワイヤー抵抗変化メモリのスイッチング特性におけるナノワイヤーサイズ効果

〇青野孝重¹、渡辺忠孝²、高野良紀²、高瀬浩一² (1.日大院理工、2.日大理工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-16] 3価の元素を置換したTiO_2-_dスパッタ薄膜の構造・電気特性

川口拓哉¹、関根正貴¹、簑原誠人²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

△ [8p-PA1-17] ミストCVD法を利用した透明導電性酸化物エピタキシャル薄膜の作製

〇丹羽泰之¹、菅大介¹、島川祐一¹ (1.京大化研)

13:30 〜 15:30

△ [8p-PA1-18] 真空および非真空プロセスにより成長した酸化亜鉛系薄膜へのエキシマ光照射効果

〇松田宗平¹、永山幸希¹、カルトシュタインオリバー¹、木村史哉¹、大浦紀頼¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-19] ZnO粉末の室温強磁性

〇武田康平¹、渡辺忠孝²、高野良紀²、高瀬浩一² (1.日大院理工、2.日大理工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-20] 電気二重層トランジスタを用いた酸化亜鉛/金属電極間の接触抵抗の低減

〇成田智絵¹、石黒亮輔¹、髙柳英明² (1.日女大院理、2.東理大総研院)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-21] 紫外光照射前後のTiO₂単結晶及び微粒子膜表面における表面電位計測

〇古川拓弥¹、野田啓¹ (1.慶應大理工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-22] WO₃ナノ粒子/ITOコアシース型ナノファイバの光蓄電電極への応用

〇(M1C)松田拓也¹、隈元大登¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-23] 分子プレカーサー溶液を用いたESD法によるTiO₂膜の成膜 Ⅱ

〇小澤竜平¹、諏訪園豊¹、工藤幸寛¹、永井裕己¹、佐藤光史¹、高橋泰樹¹ (1.工学院大)

13:30 〜 15:30

△ [8p-PA1-24] Rh:SrTiO₃薄膜におけるRhの価数観測

〇細川喜久¹、高橋竜太^1,2、組頭広志³、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JST さきがけ、3.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-25] TiO₂多孔体内壁に導電性高分子を電着したモノリシック3次元電池

〇秋好恭兵¹、有馬稜一¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大院理工、2.タカタ株技術本部)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-26] 燃料電池金属セパレータ応用を目指したSnO₂薄膜の作製に関する研究

〇小野雅史¹、田中孝²、内田貴之¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.アイテック株式会社)

13:30 〜 15:30

△ [8p-PA1-27] 酸化物ヘテロ構造における導電層の厚さ解析

〇李智蓮¹、高橋竜太^1,2、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [5p-A202-5] Ag/WOx/Pt平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

△ [5p-A202-8] Pt/TiO2/Pt抵抗変化素子のフォーミング過程における高抵抗化

△ [5p-A202-9] ルチル型TiO2単結晶微細メモリスタ素子における抵抗変化領域のTEM微構造解析

△ [5p-A202-10] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊観測

△ [5p-A202-11] 4端子TiO2単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性

△ [5p-A202-12] 抵抗変化メモリ特性のHf酸化物スパッタ条件依存性

△ [5p-A202-14] 金属/酸化物接合における界面金属層による酸素欠陥生成効果の評価

[6a-A202-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [6a-A202-2] EuTiO­3の量子井戸構造による高移動度化と磁気輸送特性

△ [6a-A202-3] レーザー励起光電子顕微鏡で明らかにするLaAlO3/SrTiO3界面における強磁性

△ [6a-A202-4] 粒界性格に依存したSrTiO3中電場誘起イオンダイナミクス

△ [6a-A202-5] イオン液体／単結晶ZnO界面の電気化学特性

△ [6a-A202-6] パルスレーザー堆積法による層状岩塩型LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2エピタキシャル薄膜の合成と配向制御

△ [6a-A202-8] 原子間力顕微鏡を用いたSrFeO3のトポタクティック局所還元反応

△ [6a-A202-9] 高不純物濃度酸化物コンタクトによるナノワイヤ分子センサの高信頼化

△ [6a-A202-10] 単結晶金属酸化物ナノワイヤにおける結晶成長雰囲気が及ぼす電子輸送特性の結晶成長界面依存性

[7a-A202-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [7a-A202-4] Improvement of adhesion and rigidity of TiO2 thin film by laser radiation

▲ [7a-A202-7] Synthesis and Characterization of ZnO and Al-doped ZnO Nanostructures at Different Annealing Temperatures

[7p-A202-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [7p-A202-5] SrCoO3薄膜における異常ホール効果

△ [7p-A202-6] ダブルペロブスカイト型La2VFeO6薄膜の合成と物性

△ [7p-A202-9] LaOエピタキシャル薄膜の超伝導

△ [7p-A202-10] 圧縮ストレイン下におけるSrRuO3薄膜のホール抵抗の異常な振る舞い

△ [7p-A202-15] 電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体La2-xCexCuO4における電界誘起絶縁体超伝導転移

[8a-A202-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [8a-A202-5] Improvement of Power Conversion Efficiency of Dye Sensitized Solar Cells by Depositing Light Scattering Layers of TiO2 by Electrophoresis

▲ [8a-A202-8] Research on fabrication and characterization of InFeO3 thin film for Photoelectrochemical electrode

[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8p-PA1-17] ミストCVD法を利用した透明導電性酸化物エピタキシャル薄膜の作製

△ [8p-PA1-18] 真空および非真空プロセスにより成長した酸化亜鉛系薄膜へのエキシマ光照射効果

△ [8p-PA1-24] Rh:SrTiO3薄膜におけるRhの価数観測

△ [8p-PA1-27] 酸化物ヘテロ構造における導電層の厚さ解析

認証

△ [5p-A202-5] Ag/WO_x/Pt平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

△ [5p-A202-8] Pt/TiO₂/Pt抵抗変化素子のフォーミング過程における高抵抗化

△ [5p-A202-9] ルチル型TiO₂単結晶微細メモリスタ素子における抵抗変化領域のTEM微構造解析

△ [5p-A202-11] 4端子TiO₂単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性

△ [6a-A202-2] EuTiO₃の量子井戸構造による高移動度化と磁気輸送特性

△ [6a-A202-3] レーザー励起光電子顕微鏡で明らかにするLaAlO₃/SrTiO₃界面における強磁性

△ [6a-A202-4] 粒界性格に依存したSrTiO₃中電場誘起イオンダイナミクス

△ [6a-A202-8] 原子間力顕微鏡を用いたSrFeO₃のトポタクティック局所還元反応

▲ [7a-A202-4] Improvement of adhesion and rigidity of TiO₂ thin film by laser radiation

△ [7p-A202-5] SrCoO₃薄膜における異常ホール効果

△ [7p-A202-6] ダブルペロブスカイト型La₂VFeO₆薄膜の合成と物性

△ [7p-A202-10] 圧縮ストレイン下におけるSrRuO₃薄膜のホール抵抗の異常な振る舞い

△ [7p-A202-15] 電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体La_2-xCe_xCuO₄における電界誘起絶縁体超伝導転移

▲ [8a-A202-5] Improvement of Power Conversion Efficiency of Dye Sensitized Solar Cells by Depositing Light Scattering Layers of TiO₂ by Electrophoresis

▲ [8a-A202-8] Research on fabrication and characterization of InFeO₃ thin film for Photoelectrochemical electrode

△ [8p-PA1-24] Rh:SrTiO₃薄膜におけるRhの価数観測