シンポジウム(口頭講演)

[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

2017年9月6日(水) 13:45 〜 19:15 C16 (研修室1)

安藤淳(産総研)、宮田耕充(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:15

[6p-C16-1] 二次元原子薄膜ヘテロ接合の創製とその新原理テラヘルツ光電子デバイス応用

〇尾辻泰一¹ (1.東北大通研)

14:15 〜 14:30

[6p-C16-2] 透明なグラフェンダイポールアンテナ

〇(M2)小菅祥平¹、須賀良介¹、橋本修¹、黄晋二¹ (1.青学大理工)

14:30 〜 14:45

[6p-C16-3] グラフェンを用いた超高感度ガスセンシング技術

〇沖充浩¹、長田憲和¹、山田紘¹、中村裕子¹、熱田昌己¹、吉村玲子¹、真常泰¹、宮本浩久¹、金井康²、小野尭生²、松本和彦² (1.東芝、2.阪大産研)

14:45 〜 15:00

▼ [6p-C16-4] High Performance Flexible Single-Layer WS₂ Optoelectronics Devices Integrated with Multi-Layer Graphene Electrodes and Parylene-C Substrate

〇(D)Adha Sukma Aji¹、 Ji Hyun Goo¹、 Pablo Solis-Fernandez¹、 Kenjiro Fukuda^2,3、 Hiroki Ago¹ (1.Kyushu University、2.RIKEN、3.PRESTO-JST)

15:00 〜 15:15

[6p-C16-5] 自己制御表面酸化によるWSe₂原子層トランジスタの高受光感度化

〇山本真人¹、上野啓司²、塚越一仁³ (1.阪大産研、2.埼玉大院理工、3.物材機構)

15:15 〜 15:30

△ [6p-C16-6] 数層原子層物質を用いて作製したショットキー型太陽電池の高透明化

〇山口慶樹¹、大北若菜¹、赤間俊紀¹、李超¹、金子俊郎¹、加藤俊顕¹ (1.東北大院工)

15:30 〜 16:00

[6p-C16-7] グラフェン、グラフェンナノリボンの電子デバイス応用

〇佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

16:15 〜 16:45

[6p-C16-8] 原子膜半導体の基礎伝導

〇塚越一仁¹ (1.NIMS, WPI-MANA)

16:45 〜 17:00

[6p-C16-9] ラマン分光による遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造の熱伝導評価

〇毛利真一郎¹、名西憓之¹、荒木努¹ (1.立命館大理工)

17:00 〜 17:15

[6p-C16-10] 高濃度SOI基板をゲート電極に用いたWSe₂ pFETの作製

〇高木寛之¹、居駒遼¹、大場智昭¹、川那子高暢¹ (1.東工大未来研)

17:15 〜 17:30

▼ [6p-C16-11] Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS₂ FET

〇(D)Nan Fang¹、 Kosuke Nagashio^1,2 (1.Tokyo Univ.、2.PRESTO-JST)

17:30 〜 17:45

[6p-C16-12] 大面積MoS₂単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

〇蒲江¹、山田知之¹、 Li Lain-Jong²、松田達磨³、蓬田陽平³、柳和宏³、伊東裕¹、竹延大志¹ (1.名大工、2.KAUST、3.首都大理工)

17:45 〜 18:15

[6p-C16-13] IoT向けスパッタMoS₂チャネルMOSFETの研究

〇若林整¹ (1.東京工業大学)

18:15 〜 18:30

[6p-C16-14] 六方晶窒化ホウ素基板を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の分子線エピタキシー成長とその評価

〇堀田貴都¹、徳田拓人¹、渡邊賢司²、谷口尚²、篠原久典¹、北浦良¹ (1.名大理、2.NIMS)

18:30 〜 18:45

△ [6p-C16-15] ハライドアシストMOCVDによるTMDC成長と評価

〇(D)小林佑¹、吉田昭二²、村瀬康太²、岡田直也³、入沢寿史³、真庭豊¹、重川秀実²、宮田耕充¹ (1.首都大理工、2.筑波大数理、3.産総研)

18:45 〜 19:00

[6p-C16-16] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長

〇池田幸弘¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

19:00 〜 19:15

[6p-C16-17] Graphene/SiC界面におけるSn三角格子原子層

〇林真吾¹、梶原隆司¹、 Visikovskiy Anton¹、飯盛拓嗣²、白澤徹郎³、中辻寛⁴、宮町俊夫²、中島脩平²、間瀬一彦⁵、小森文夫²、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研、3.産総研、4.東工大総合理工、5.高エネ研)

セッション一覧

シンポジウム » 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-1] 二次元原子薄膜ヘテロ接合の創製とその新原理テラヘルツ光電子デバイス応用

[6p-C16-2] 透明なグラフェンダイポールアンテナ

[6p-C16-3] グラフェンを用いた超高感度ガスセンシング技術

▼ [6p-C16-4] High Performance Flexible Single-Layer WS₂ Optoelectronics Devices Integrated with Multi-Layer Graphene Electrodes and Parylene-C Substrate

[6p-C16-5] 自己制御表面酸化によるWSe₂原子層トランジスタの高受光感度化

△ [6p-C16-6] 数層原子層物質を用いて作製したショットキー型太陽電池の高透明化

[6p-C16-7] グラフェン、グラフェンナノリボンの電子デバイス応用

[6p-C16-8] 原子膜半導体の基礎伝導

[6p-C16-9] ラマン分光による遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造の熱伝導評価

[6p-C16-10] 高濃度SOI基板をゲート電極に用いたWSe₂ pFETの作製

▼ [6p-C16-11] Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS₂ FET

[6p-C16-12] 大面積MoS₂単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移

[6p-C16-13] IoT向けスパッタMoS₂チャネルMOSFETの研究

[6p-C16-14] 六方晶窒化ホウ素基板を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の分子線エピタキシー成長とその評価

△ [6p-C16-15] ハライドアシストMOCVDによるTMDC成長と評価

[6p-C16-16] 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長

[6p-C16-17] Graphene/SiC界面におけるSn三角格子原子層

認証

セッション一覧

シンポジウム » 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

▼ [6p-C16-4] High Performance Flexible Single-Layer WS2 Optoelectronics Devices Integrated with Multi-Layer Graphene Electrodes and Parylene-C Substrate

△ [6p-C16-6] 数層原子層物質を用いて作製したショットキー型太陽電池の高透明化

▼ [6p-C16-11] Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS2 FET

△ [6p-C16-15] ハライドアシストMOCVDによるTMDC成長と評価

認証

▼ [6p-C16-4] High Performance Flexible Single-Layer WS₂ Optoelectronics Devices Integrated with Multi-Layer Graphene Electrodes and Parylene-C Substrate

▼ [6p-C16-11] Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS₂ FET