[5a-A203-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[5a-A203-10] Impact of measurement methods on threshold voltage shift under long term gate bias stress

〇Yuji Kiuchi^1,2, Mitsuru Sometani¹, Dai Okamoto³, Tetsuo Hatakeyama¹, Mitsuo Okamoto¹, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yano³, Yoshiyuki Yonezawa¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.NJR, 3.Univ. Tsukuba)

Keywords:4H-SiC MOS, vth shift predict, long-term gate bias stress

4H-SiC MOSデバイスの課題として、ゲートバイアスストレスによるVthの不安定性があげられる。一般的には、Id­Vg測定には一定の時間が必要なため、このストレスにより捕獲された電荷の放出が起こり、Vth変動の過小評価になる。我々はこれまでにこの電荷放出によるストレス緩和を抑え評価法を提案し、評価法に大きく依存することを報告した。今回これら手法の長時間ストレス下におけるVth変動量を調査した。