[5p-A204-1~9] シリコン結晶における不純物制御の科学 ～ゲッタリングが描くウェーハの未来像～

[5p-A204-1] デバイスエンジニアが注目するゲッタリング技術動向

〇小此木 堅祐¹ (1.マイクロン)

キーワード：ゲッタリング

携帯電子機器の要求により、メモリデバイス微細化技術は、最小加工寸法10nmスケールへ突入し、シリコン貫通電極などのチップ多層積層化技術も、大容量化や多機能化のために進化している。これら最先端技術は、土台となるシリコンウェハにも最適な結晶性を要求する。今回、DRAM用シリコンウェハ推移からこれまでのゲッタリング技術推移を理解し、注目される技術論文から現状課題を把握して、今後のゲッタリング開発について議論したい。